Page 15 - 4770

Чим більше фотонів сонячного світла поглинається
фотоелектричним елементом, тим більшим буде у нього струм
І .
КЗ

1 - електричний контакт до лицевої сторони попереднього
елемента; 2 - додатковий потенціальний бар’єр р+ 0,2 мкм;
3 - шар р 250-400 мкм; 4 - шар n 0,2-1,0 мкм;
5 - противідбивне покриття; 6 - лицевий контакт;
7 - електричний контакт до зворотної сторони наступного
елемента; 8 - металічний контакт зворотної сторони

Рисунок 1. 2 – Узагальнена конструкція фотоелектричного
елемента

Це може бути досягнено шляхом використання напів-
провідників з меншою шириною забороненої зони (тоді під-
вищується доля фотонів у сонячному випромінюванні, які
мають енергію вищу ширини забороненої зони напівпровід-
ника). З іншого боку, напруга U , визначаються висотою по-
ХХ
тенціального бар’єру в p-n переході і буде тим більша, чим
більша ширина забороненої зони напівпровідника. Оскільки
для отримання максимальної вихідної потужності фотоелек-
тричного елементу треба створити такий елемент, у якого
будуть найбільшими не величини U , чи І окремо, а до-
ХХ КЗ
буток P  U I  , враховуючи розподіл енергії в спектрі
М М М
сонячного випромінювання, можна підібрати найкращий на-

14