Page 73 - 4707
P. 73

Внаслідок  адсорбції  відбувається  перерозподіл  мас
           компонентів між об’ємними фазами і поверхневим шаром.
           Це  веде  до  зміни  хімічних  потенціалів  компонентів  (μ і).
           Прагнення  термодинамічних  систем  до  встановлення
           рівноваги     за    складом     кількісно    характеризується
           величиною,  яка  називається  хімічним  потенціалом.
           Процеси  встановлення  рівноваги  у  термодинамічних
           системах  відбуваються  таким  чином,  щоб  вирівняти
           хімічний потенціал у кожній області. У системі відбувається
           перетворення       поверхневої      енергії    на     хімічну.
           Фундаментальне рівняння Гіббса для міжфазного шару (за
           постійних температури і тиску) має вигляд:

                                               s
                                          s
                              sd      n d    0 .                        (2.30)
                                          i
                                               i
                                       i
                 При введенні адсорбції Гіббса ( Г    n s  /s ), маємо:
                                                    і   i
                                               s
                               d      Г d     0.                        (2.31)
                                               i
                                           i
                                       i
                 Для бінарної системи:
                                             s
                                                       s
                                 d   Г d    Г d ,                   (2.32)
                                         1   1    2   2
           де  індекс  „1“  відповідає  розчиннику,  а  „2“  –  розчиненій
           речовині, „S“ – поверхневому шару.
                 У  розбавлених  розчинах,  коли  Г 1  зневажливо  мала,
           зміна  хімічного  потенціалу  розчинника  також  мала  (dμ 1  =
           0);  тоді,  з  урахуванням  того,  що  dμ 2  = RTd(lna 2),  рівняння
           (2.32) набуває вигляду:
                                        s
                                                         )
                            d   Г 2 d   Г RT d(lna .               (2.33)
                                              2
                                        1
                                                        2
                 Замінюючи  активність  а 2  на  концентрацію  с 2  і
           опускаючи  індекс  „2“,  отримуємо  рівняння  Гіббса,  що
           широко використовується для неелектролітів:
                                          с   d
                                  Г            .                            (2.34)
                                         RT    dc
                                         71
   68   69   70   71   72   73   74   75   76   77   78