Page 18 - 4627

деякого значення напруженості Е1 наростання і із зростанням
Е спочатку сповільнюється, а при Е — Екр повністю
припиняється (ділянка АВ на мал. 1.6). При подальшому
збільшенні Е (ділянка ВС) енергії поля ще недостатня для
збільшення концентрації носіїв заряду; при цьому рухливість
електронів µ зменшується (унаслідок збільшення числа
зіткнень з атомами кристалічної решітки) і визначається
виразом
   1 (   E 2 )
0
де µ 0— рухливість в слабких полях; а — коефіцієнт, не
залежний від напруженості поля.
Відповідно до цього диференціальна провідність
напівпровідника на цій ділянці виявляється величиною
негативною. Падіння і із зростанням Е триває до порогового
значення напруженості Епор, після чого провідність
напівпровідника різко зростаєт із-за збільшення концентрації
носіїв заряду (ділянка СD на мал. 1.6).

Рис. 1.6 – Залежність  =f(E) напівпровідника в
електричному полі

18