Page 17 - 4627

Домішка, що віддає вільні електрони, називається
донорною. НП з переважаючою кількістю вільних електронів
має назву НП з електронною провідністю, або НП n-типу.
Розглянемо введення у германій домішки з трьома
валентними електронами (III група таблиці Менделєєва),
наприклад, індію (In), як це показано на рис. 1.5.

Рисунок 1.5 – Кристалічні гратки германію з акцепторною
домішкою

Для утворення ковалентного зв'язку між Ge та In одного
електрона не вистачає. При дії теплоти навколишнього
середовища електрони з верхнього рівня валентної зони
переміщуються на рівень домішки, створюючи зв'язки, яких
не вистачає, завдяки чому у валентній зоні утворюються
рухомі дірки, а атоми домішки перетворюються
у негативні іони. Така домішка називається акцепторною,
а НП з переважною кількістю дірок - НП з дірковою
провідністю, або р-типу.
Переважаючі у НП рухомі носії заряду мають назву
основних, решта - неосновних.

Електропровідність напівпровідників
у сильних електричних полях.
Із зростанням напруженості електричного поля
провідність напівпровідника змінюється. У слабких
електричних полях концентрація носіїв заряду не залежить від
напруженості поля Е1, а залежність струму через
напівпровідник від напруженості електричного поля
підкоряється закону Ома. На мал. 1.6 цьому випадку
відповідає ділянка ОА залежності i=f(E). Починаючи з

17