Page 66 - 4420

де С о – ємність резонансного контуру; L o та R o – відповідно
індуктивність та активний опір вихрострумового
перетворювача при відсутності досліджуваного об’єкта; L вн та
R вн – внесені індуктивність та активний опір, зумовлені
впливом вихрових струмів у досліджуваному об’єкті.
Найдосконалішою є двохгенераторна схема (з
вимірювальним та опорним генераторами) з формуванням
вихідного сигналу у вигляді різниці частот, аналогічно схемі
(рис. 2.2, б). За такою структурою побудований
вихрострумовий вимірювач товщини покрить ”Родон”,
призначений для вимірювань товщини діелектричних
покриттів, нанесених на струмопровідну основу плоскої,
опуклої чи увігнутої форм і товщини виробів із діелектрику,
які під час їх дослідження ставлять на струмопровідну основу.
Прилад має діапазон вимірювань 0...10 мм та граничну
похибку, яка не перевищує 1%.
Для вимірювань товщини покриттів на феромагнітних
деталях можна застосовувати індуктивний метод. Первинним
перетворювачем такого засобу буде індуктивний
перетворювач, повний електричний опір чи індуктивність
вимірювальної обмотки якого буде функцією товщини
покриття
2
w
Z    X m   , (2.9)
Ro 2 Lекв
( Ro  R )

де R o – омічний опір обмотки, Х м та R м – реактивна та активна
складові комплексного магнітного опору магнітопроводу;
R
– магнітний опір покриття (між полюсними наконечниками
магнітопроводу (див. рис.2.3) та поверхнею феромагнітного
тіла деталі).

- 65 -