Page 16 - 4374

1 - електричний контакт до лицевої сторони попереднього
елемента; 2 - додатковий потенціальний бар’єр р+ 0,2 мкм;
3 - шар р 250-400 мкм; 4 - шар n 0,2-1,0 мкм;
5 - противідбивне покриття; 6 - лицевий контакт;
7 - електричний контакт до зворотної сторони наступного
елемента; 8 - металічний контакт зворотної сторони

Рисунок 1. 2 – Узагальнена конструкція сонячного
елемента

Це може бути досягнено шляхом використання напів-
провідників з меншою шириною забороненої зони (тоді під-
вищується доля фотонів у сонячному випромінюванні, які
мають енергію вищу ширини забороненої зони напівпровід-
ника). З іншого боку, напруга U , визначаються висотою по-
ХХ
тенціального бар’єру в p-n переході і буде тим більша, чим
більша ширина забороненої зони напівпровідника. Оскільки
для отримання максимальної вихідної потужності сонячного
елементу треба створити такий елемент, у якого будуть най-
більшими не величини U , чи І окремо, а добуток
ХХ КЗ
P  U I  , враховуючи розподіл енергії в спектрі соняч-
М М М
ного випромінювання, можна підібрати найкращий напівпро-
відниковий матеріал для створення ефективних сонячних
елементів.
Домінуюча позиція кремнієвої технології у промисловій
сонячній енергетиці (90 % світового виробництва сонячних

14