Page 43 - 4212

один стан (зазвичай у всі одиниці, рідше - у всі нулі). Запис на
EPROM здійснюється на програматорах.
Великою перевагою такої пам яті є можливість
перезапису вміст мікросхеми.
Недоліки: невелика кількість циклів перезапису; висока
вірогідність "недотерти", що зрештою приведе до збою, або
перетримати мікросхему під ультрафіолетовим світлом, що
може зменшити термін служби мікросхеми і навіть привести
до її повній непридатності.
Головною привабливою особливістю EEPROM (в т.ч. і
Flash) від раніше розглянутих типів незалежної пам яті є
можливість перепрограмування при підключенні до
стандартної системної шини мікропроцесорного пристрою. У
EEPROM з явилася можливість проводити стирання окремої
комірки за допомогою електричного струму. Для EEPROM
стирання кожної комірки виконується автоматично при записі
в неї новій інформації, тобто можна змінити дані в будь-якій
комірці, не зачіпаючи решти. Процедура стирання зазвичай
істотно довша за процедури запису.
Переваги EEPROM в порівнянні з EPROM: збільшений
ресурс роботи, простіша в обслуговуванні; недолік - висока
вартість. У контролерах цей тип пам яті використовується як
для зберігання програм, так і для зберігання даних.
Flash (повна назва - Flash Erase EEPROM) вперше була
розроблена компанією Toshiba в 1984 році, і вже наступного
року було почато виробництво 256 Кбіт мікросхем flash-
пам’яті в промислових масштабах. У 1988 році компанія Intel
розробила власний варіант флеш-пам’яті.
Технологічно флеш-пам’яті споріднена з EPROM, так і
EEPROM. Основна відмінність флеш-пам’яті від EEPROM
полягає в тому, що стирання вмісту комірок виконується або
для всієї мікросхеми, або для певного блоку (кластера, кадру
або сторінки).
Слід відмітити, що існують мікросхеми, які дозволяють

43