Page 68 - 4121
P. 68

а потім спадає до:
                                                               1
                                                              
                                                  Z  2 fC  p   при f  3 f
                                                                          c
                                     У таблиці 4.1 наведені значення паразитних складових і
                                власних  резонансних  частот  резисторів,  які  найчастіше
                                використовуються у засобах вимірювальної техніки.

                                     Таблиця 4.1 - Частотні параметри резисторів
                                    Тип резистора         L s,         C р,          f c,
                                                         нГн           пФ           МГц
                                     Металічний         3 - 100     0,1 - 1,0    500 - 3000
                                      об’ємний
                                   Композиційний         5 - 30     0,1 – 0,15   750 - 2000
                                     Вуглицевий        15 - 700     0,1 – 0,8    300 - 1500
                                  Металоплівковий      15 - 700     0,1 – 0,8    300 - 1500
                                  Для поверхневого      0,2 - 3    0,01 – 0,08   500 - 4000
                                      монтажу
                                      Дротяний        47 - 25000     2 - 14        8 - 200
                                    Дротяний (без       2 - 600      0,1 - 5      90 - 1500
                                    індуктивний)

                                     При конструюванні апаратури слід враховувати, що для
                                запобігання  різким  змінам  імпедансу  необхідно,  щоб
                                резонансна частота резистора набагато перевищувала робочу
                                частоту схеми, у якій він працюватиме.

                                     Модель  зосередженого  імпедансу  для  реальних
                                конденсаторів

                                     На рис. 4.4 показана еквівалентна модель зосередженого
                                імпедансу  для  реальних  конденсаторів.  Тут  С –  номінальна
                                ємність у фарадах, L s – паразитна послідовна індуктивність у
                                генрі, R s – послідовний опір у омах, R р – опір втрат у омах. Як
                                і  у  резисторів,  у  реальних  конденсаторів  паразитні  складові
                                з’являються внаслідок наявності виводів та через особливості
                                їхньої конструкції.



                                                             67
   63   64   65   66   67   68   69   70   71   72   73