Page 66 - 4121

Модель зосередженого імпедансу для реальних
резисторів

На рис. 4.2 показана еквівалентна модель реального
резистора з зосередженим імпедансом. Тут R – номінальний
опір в омах, L s – паразитна послідовна індуктивність у генрі,
C р – паразитна паралельна ємність у фарадах.
R L s

C p

Рисунок 4.2 – Модель зосередженого імпедансу для
реальних резисторів

На рис. 4.3 наведені типові криві залежності імпедансу
реальних резисторів від частоти. Наведене сімейство кривих
має дві особливості: імпеданс високоомних резисторів
спочатку не залежить від частоти, а потім зменшується, у той
час як імпеданс низькоомних резисторів спочатку не залежить
від частоти, а потім різко зростає, утворює пік, а потім спадає.
Задаючись різними значеннями R, L s і C р можна знайти,
/
що R  1,55  LC p  є найменшим опором, який не
s
призводить до появи піка на кривій імпедансу.
Цей параметр називається критичним опором
резистора, позначається R c і розраховується у омах з виразу:
 L  0,5
R  c 1,55   s  
 C p  (4.4)
Якщо опір резистора R  R , то наближені формули для
c
визначення імпедансу матимуть вид:
Z  R при f  2 RC p   1 (4.5)

65