Page 63 - 399_

Розділ 3. Підсилювачі для нормування сигналів 61

Таблиця 3.4 - Технологічні особливості ОП
Технологія ОП Особливості
Біполярні ОП (на основі NPN) перші олпераційні підсилювачі
Комплементарні біполярні ОП входи/виходи "від живлення до
(СВ) живлення", прецизійні, високошвидкісні
високий вхідний імпеданс,
Біполярні + JFET (BіFET)
високошвидкісні
Комплементарні біполярні + високий вхідний імпеданс, "від живлення
JFET (CBFET) до живлення", високошвидкісні
Комплементарні MOSFET низька вартість, низькі технічні
(CMOS, КМОН) характеристики
біполярний вхідний каскад поліпшує
Біполярні + КМОП (BіCMOS) лінійність, низьке споживання, вихід "від
живлення до живлення"
Комплементарний біполярний вхід/вихід "від живлення до живлення",
+ КМОН (CBCMOS) висока лінійність, низьке споживання

Інтеграція JFET транзисторів в операційні підсилювачі, виконаних
по комплементарній біполярній технології дає операційні підсилювачі з
(CBFET) процесом, що характеризується високим вхідним опором. Дані
підсилювачі придатні для таких застосувань як електрометричні чи
фотодіодні попередні підсилювачі.
КМОН (CMOS) операційні підсилювачі, за невеликим вийнятком,
звичайно мають досить великі напруги зсуву, їх температурні дрейфи і
шумові напруги. Однак, їхні вхідні струми дуже малі. Підсилювачі мають
малий струм споживання і вартість, однак, поліпшені технічні
характеристики можна одержати від пристроїв з BіFET і CBFET
технологіями.
Інтеграція біполярних чи комплементарних пристроїв до КМОН
процесу (BіMOS чи CBCMOS) дає операційний підсилювач більшої
гнучкості, лінійності і з меншою споживаною потужностю. Біполярні
елементи звичайно використовуються у вхідних каскадах для
збільшення підсилення і лінійності, а КМОН пристрою у вихідному
каскаді для забезпечення динамічного діапазону "від живлення до
живлення".
На закінчення необхідно зазначити, що не існує універсального
процесу, оптимального для всіх ОП. Вибір типу ОП залежить від
конкретного застосування.