Page 61 - 6867

Продовження табл. К.7
1 2
Багатоемітерний транзистор типу n-p-n
Примітка. Для спрощення допускається:
а) виконувати позначення транзисторів у
дзеркальному відображенні
б) не зображувати корпус, якщо зміст
позначення не міняється і корпус не
використовується для електричного або
підключення
Приклади побудови позначень польових транзисторів
Польовий транзистор з каналом n-типу

D 12 14
a 2.5 3.5
b 3 4

Польовий транзистор з каналом p-типу

Польовий транзистор з ізольованим затвором:
збагаченого типу з p-каналом

збагаченого типу з n-каналом

збідненого типу з p-каналом

збідненого типу з n-каналом

Польовий транзистор з ізольованим затвором
збагаченого типу з p каналом з виводом від
підкладки
Польовий транзистор з ізольованим затвором
збагаченого типу з n-каналом і з внутрішнім
з'єднанням підкладки і витоку
Польовий транзистор із двома ізольованими
затворами збідненого типу з n каналом і з
виводом від підкладки
Примітка. Зображення круга для польових
транзисторів є обов'язковим

61