Page 89 - 6376
P. 89

об  катод,  вибивають  з  нього  електрони  (процес  2);  2)  додатні  йони,  зіштовхуючись  з

               молекулами газу, переводять їх у збуджений стан; перехід таких молекул в нормальний стан

               супроводжується випромінюванням фотона (процес  3); 3) фотон, поглинутий нейтральною
               молекулою, йонізує її, відбувається так званий процес фотонної йонізації молекул (процес

               4); 4) вибивання електронів з катода під дією фотонів (процес 5).
                        На кінець, при значних напругах між електродами газового проміжку настає момент,

               коли  додатні  йони,  які  володіють  меншою  довжиною  вільного  пробігу,  ніж  електрони,

               набувають енергію, достатню для йонізації молекул газу (процес 6), і до від’ємної пластини
               прямують йонні лавини. Коли виникають крім електронних лавин ще й йонні, сила струму

               зростає вже практично без збільшення напруги (ділянка ).

                        В  результаті  описаних  процесів  (1 − 6)  число  йонів  і  електронів  в  об’ємі  газу
               лавиноподібно  зростає  і  розряд  стає  самостійним, тобто зберігається  після  припинення  дії

               зовнішнього  йонізатора.  Напруга,  при  якій  виникає  самостійний  розряд,  називається
               напругою пробою.


































                                      Рисунок 3 – Процеси йонізації в газовому розряді.



                        27.2. Види газових розрядів та їх практичне застосування. В залежності від тиску
               газу, конфігурації електродів, параметрів зовнішнього кола можна говорити про чотири типи

               самостійних газових розряди: тліючий, іскровий, дуговий, коронний.
                        Для  виникнення  самостійного  газового  розряду  необхідно,  щоб  концентрація  і

               енергія вторинних йонів і електронів,  утворених під дією йонізатора, були достатніми для
               лавинного розмноження носіїв (число вторинних носіїв повинно перевищувати число носіїв,
   84   85   86   87   88   89   90   91   92   93   94