Page 17 - 4907

Чим більше фотонів сонячного світла поглинається
фотоелектричним елементом, тим більшим буде у нього струм
І .
КЗ

1 - електричний контакт до лицевої сторони попереднього
елемента; 2 - додатковий потенціальний бар’єр р+ 0,2 мкм;
3 - шар р 250-400 мкм; 4 - шар n 0,2-1,0 мкм;
5 - противідбивне покриття; 6 - лицевий контакт;
7 - електричний контакт до зворотної сторони наступного
елемента; 8 - металічний контакт зворотної сторони

Рисунок 1. 2 – Узагальнена конструкція сонячного
елемента

Це може бути досягнено шляхом використання напівпро-
відників з меншою шириною забороненої зони (тоді підви-
щується доля фотонів у сонячному випромінюванні, які мають
енергію вищу ширини забороненої зони напівпровідника). З
іншого боку, напруга U , визначаються висотою потен-
ХХ
ціального бар’єру в p-n переході і буде тим більша, чим біль-
ша ширина забороненої зони напівпровідника. Оскільки для
отримання максимальної вихідної потужності сонячного еле-
менту треба створити такий елемент, у якого будуть найбіль-
шими не величини U , чи І окремо, а добуток
ХХ КЗ
P  U I  , враховуючи розподіл енергії в спектрі соняч-
М М М
15