Page 70 - 4609

(електрони і позитивно заря-
джені іони) і він набуває зда-
тність проводити електрич- ни з енергією ∼10-100 кеВ
ний струм. І. газу відбуваєть-
ся під дією ультрафіолетово-
го, рентгенівського і - проникають на глибину 0,01-
випромінювання (фотоіоніза- 1 мкм. Крім зміни хімічного
ція), при високій температурі складу в поверхневому шарі
(термічна іонізація) і т.д. І.і. викликає також появу де-
Останній вид І. має місце при фектів кристалічної будови
запалюванні електричної ду- (дефектів ґратки) в цьому
ги. шарі, а також розпилення
атомів з поверхні деталі. Ця
Іонізуючі компоненти обробка застосовується з ме-
покриттів, стабілізуючі тою зміни властивостей по-
компоненти покриттів – верхневого шару деталі або
компоненти електродних по- інструменту, особливо з ме-
криттів, що містять елементи тою зміни їх корозійної стій-
з низьким потенціалом іоні- кості або зносостійкості. Так,
зації, які сприяють підви- наприклад, вдається в п'ять і
щенню стійкості горіння дуги більше разів збільшити дов-
(наприклад, лужні та лужно- говічність ріжучих пластин,
земельні метали). фільєр, штампів і т. п., виго-
товлених з карбіду вольфра-
Іонна імплантація, іонне му на кобальтової зв'язці.
легування - впровадження
іонів, що володіють високою
кінетичної енергією (понад
4
10 еВ), в поверхневий шар
деталі в процесі обробки. І.і.
здійснюють у вакуумі, підда-
ючи деталь дії високоенерге-
тичного іонного пучка. Гли-
бина проникнення іонів у
поверхневий шар тим більша,
чим більша енергія іонів; іо-
Схема установки для іонної імплан-
тації: 1 - джерело іонів; 2 - приско-
рююча труба; 3 – сепаратор; 4 – сис-
тема відхилення; 5 – пучок іонів; 6 -
імплантований матеріал (виріб); 7 -

68