Page 57 - 4149

Лабораторна робота №3
ДОСЛІДЖЕННЯ СХЕМ ПІДСИЛЕННЯ НАПРУГИ НА
БІПОЛЯРНОМУ ТРАНЗИСТОРІ ПО СХЕМІ ІЗ
СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ

3.1 Мета та завдання роботи
Мета роботи: дослідити включення біполярного
транзистора по схемі із спільним емітером.
Завдання роботи: розрахувати підсилювальний каскад
СЕ із термостабілізацією та побудувати його схему за
допомогою ELECTRONICS WORKBENCH 5.12. Порівняти
виміряні значення коефіцієнтів підсилення параметрів
вхідного сигналу із розрахунковими значеннями.

3.2 Теоретичні відомості
Біполярним транзистором (напівпровідниковим тріодом)
називається електроперетворювальний напівпровідниковий
пристрій, який має два електронно-дирочних переходи (p-n
переходи) і три виводи та призначений для підсилення
потужності. При функціонуванні напівпровідникових тріодів
використовуються носії обох полярностей (електрони і
дирки), тому він називається біполярним.
Біполярний напівпровідниковий транзистор являє собою
систему n-p-n або p-n-p типу, яка зформована на одному
монокристалі напівпровідника. Внутрішня частина
монокристала транзистора, що розділяє p-n переходи,
називається базою. Зовнішній шар монокристала, який
призначений для інжектування (введення) носіїв в базу,
називається емітером, а відповідний прилеглий p-n перехід –
емітерним. Інший зовнішній шар, що екстрагує (витягує) носії
з бази, називається колектором, а відповідний прилеглий p-n
перехід – колекторним.
В залежності від електрода транзистра (база – Б, емітер –
Е або колектор – К), який вибраний спільним для вхідного та
56