Page 107 - 4149

де h 21E – коефіцієнт підсилення транзистора по струму в
схемі із загальним емітером;
R вх – вхідний опір схеми. R вхh 21E·R 3. Тобто коефіцієнт
підсилення приблизно складає – R 1/(2·R 3).
На практиці використовують коефіцієнт послаблення
синфазної складової, який обернений до коефіцієнту
підсилення.
В повністю симетричній схемі диференційного
підсилювача синфазна складова вхідної напруги не
підсилюється тому, що однакові сигнали на вході схеми
віднімаються і взаємнокомпенсуються. Хоча отримати повну
симетричність важко, оскільки важко підібрати повністю
однакові за параметрами транзистори. ДП найбільш яскраво
виявляє свої переваги при використанні транзисторних пар,
виконаних на одному напівпровідниковому кристалі. В цьому
випадку температурний режим двох транзисторів однаковий.
Коефіцієнт підсилення диференційної складової
підсилювача пропорційний струму схеми і опору в
колекторній ланці, обернено пропорційний температурі
KдR1·I R3.
Вхідний опір біполярного диференційного підсилювача
прямопропорційний коефіцієнту підсилення його транзисторів
по струму і температурі, але обернено пропорційний струму
через колектори.
Для покращення характеристик ДП замість R3 вмикають
джерело струму рисунок 8.2. При цьому збільшується
коефіцієнт підсилення, зменшуються нелінійні спотворення,
оскільки як видно із залежності для коефіцієнту передачі він
залежить від струму. Окрім того зменшується підсилення
синфазного сигналу.
Якщо приєднати до бази транзистора, що задає робочий
струм сигнал, то (враховуючи формулу коефіцієнту передачі
каскаду) можна отримати перемноження двох сигналів –
вхідного і приєднаного до джерела струму.
106