Page 14 - 4147
P. 14

відносна     якість    вакууму,     відсутність     обривів     у
                            міжелектродних виводах;
                                   -  у  кенотронів  відсутність  короткого  замикання  між
                            електродами, випрямний струм;
                                   -  у  діодів  відсутність  короткого  замикання  між
                            електродами, анодний струм;

                                   Таблиця  1.1  -  Технічні  характеристики  приладів  для
                            перевірки транзисторів

                                         Вимірюваний                             Похибка
                              Прилад                       Діапазон вимірів
                                            параметр                            виміру, %
                                                                        -5
                                                                 -12
                                       Струм втрат        0,3 *10  – 10 А
                                       Струм стоку        0,1-50мА
                              Л2-31    Вхідна                                       ±5
                                                                       -3
                                       диференціальна  (2 - 1000)*10  Ом
                                       провідність
                                       Напруги і          U к.Є.нас.=0,1-10 В
                                       струми             U б.Є.нас=0,1 -10 В
                              Л2-42                                                 ±5
                                       потужних           I кб0,I еб0,I ке0=(13)*1
                                                           4
                                       транзисторів       0 мкА
                                       Гранична
                                       частота
                              Л2-43  малопотужних            10 –1600 Гц           ± 15
                                       високочастотних
                                       транзисторів
                            Примітка:  I кб0  ,I еб0  ,I ке0  -  струми  відповідно  між  нульовою
                            крапкою,  колектором  і  емітером,  а  також  між  колектором  і
                            емітером  щодо  нульової  точки.  U к.Є.нас.U б.Є.нас  -  напруги
                            відповідно між колектором і емітером, між базою і емітером у
                            режимі насичення.

                                   -у газонаповнених стабілітронів відсутність короткого
                            замикання між електродами, напруга стабілізації.

















                                                           14
   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19