Page 122 - 4121

7 РОЗРАХУНОК РАДІАТОРІВ ДЛЯ ПОТУЖНИХ
НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ

До потужних напівпровідникових елементів ЗВТ
відносяться потужні: випростовувальні діоди, стабілітрони,
тиристори, симистори, біполярні та польові транзистори.
Параметри напівпровідникових елементів у значній мірі
залежать від температури р-n-переходів, корпусу елемента і
навколишнього середовища.
Розглянемо зміни параметрів деяких напівпровідникових
елементів при підвищенні температури [20, 21].
У працюючих напівпровідникових елементах розсіюється
значна частина підведеної до них електричної потужності.
Внаслідок цього температура внутрішніх областей і корпуса
напівпровідникового елементу перевищує температуру
навколишнього середовища. Температура р-n-переходу у
внутрішніх областях напівпровідникових елементів вважається
важливим показником, від якого залежить їх працездатність.
Для напівпровідникових діодів, як правило, вказується
максимальна температура корпуса t к.макс. Для транзисторів
задається максимальна температура області колекторного
переходу t п.макс., тому що там проходить виділення великої
частини розсіюваної електричної потужності. Підвищення
внутрішньої температури р-n-переходу призводить до
поступового старіння транзистора, а також незворотних змін, у
результаті чого транзистор може вийти з ладу. Незворотні
зміни у напівпровідникових елементах наступають при
температурах переходу вище 100 о С для елементів
о
виготовлених на основі германію, і 200 С для елементів,
виготовлених на основі кремнію. Максимальна температура
переходу t п.макс вказується у відповідних довідниках на
транзистори.
Для нормальної роботи напівпровідникових елементів
необхідно, щоб температура переходу була завжди нижчою за
максимальну. При підвищенні температури знижуються
максимальні показники напівпровідникових елементів. Так, у
випростовувальних діодів при підвищенні температури р-n -
переходу сильно збільшується зворотній струм, який може
досягнути такої величини, що діод втратить свої
121